四川民承电子有限公司成立于2017年10月，注册资金600万元，是一家集设计、测试、销售和服务的专业功率半导体器件公司。公司坚持自主创新，努力掌握核心技术，与电子科技大学、西南科技大学建立了校企合作关系，成立功率半导体从器件设计到封装设计的研发团队，成功开发出汽车级应用的高结温低漏电高压功率整流二极管（结温175°C，电压150~300V，Ir<1mA@150°C）；多步外延工艺超结MOSFET；宽禁带SiCSBD、SiCMOSFET；正在研发领先第6代工艺的600V超结电场截止型IGBT，功率密度与第6代相比可提高30%。

产品包含从低压到中高压（45V~200V）的肖特基二极管、快恢复二极管（300v~700v），功率MOSFET（30V~1200V），IGBT以及SiC SBD MOSFET(600v~1200v)等电力电子产品。产品广泛应用于手机充电器、适配器、液晶电视电源、LED电源、户外显示屏电源、通信电源、充电机、光伏逆变器、BMS、电机控制、新能源汽车等领域。

民承电子拥有完善的测试手段及严格的产品质量保证体系。配备了X_RAY、推拉力测试仪、超声波扫描、美国ANALYSIS TECH公司的Phase12热阻测试系统等先进的质量控制监测设备；建立了符合国标、JEDEC、AEC-Q101等标准的包含冷热冲击、高温反偏、恒温等完备项目的功率半导体器件可靠性实验室， FA失效分析实验室以及客户终端模拟应用测试实验室。

民承电子通过设立在四川遂宁、深圳、厦门、苏州等地的销售服务网点，实现对客户的快速响应，从技术、品质、交付，全方位不断提升服务能力，为客户提供最具竞争力的产品。充分利用各种激励制度激发员工主人翁意识，加强企业管理制度建设，努力打造全员和谐生活与宽心工作平台，先做强再做大，向具有竞争力的国内一流品牌大步迈近。