FlashSilicon一直专注于开发采用CMOS逻辑工艺技术制造的半导体非易失性存储器(NVM)。这种新的NVM技术称为LGNVM（LogicGateNVM），采用CMOS逻辑工艺在110nm、55nm、40nm节点上制造，具有以下特点：
‧可扩展至FinFet代的单元设备。
‧嵌入式闪存的兆位范围
‧低功耗，单电源电压低至1V
用于物联网应用。