#芯未来##基于TFET的低功耗SRAM芯片设计#本团队致力--芯查查

安徽大学-芯未来

#芯未来##基于TFET的低功耗SRAM芯片设计#本团队致力于为SRAM存储器的静态泄露问题提出解决方案，研发设计发了全球首款基于超陡亚阈值摆幅器件TFET与MOSFET混合的SRAM存储器，将两种不同的场效应管集成于同一工艺节点下，实现了低功耗、高速稳定读写的SRAM存储器设计，并在中芯国际55nm工艺节点下完成流片。本项目是自1987年隧穿型场效应管TFET首次提出后全球首款成功流片的将TFET器件用于SRAM存储器设计的芯片。