这本著作聚焦于半导体制造的核心命脉——图形化微缩技术，堪称该领域极具实用价值的专业指南。

作者以扎实的理论功底和工程视角，层层剖析当前主流光刻技术的瓶颈。本书共14章，内容包括光掩膜、下一代光刻技术发展趋势、EUV掩膜技术、纳米压印技术、电子束刻蚀技术与设备开发、定向自组装技术、光刻机材料的发展趋势、含金属光刻胶材料技术、多重图形化中的沉积和刻蚀技术、光散射测量技术、扫描探针显微镜技术、基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术、MEMS技术的微缩图形化应用、原子级低损伤高精度刻蚀等。清晰指出，EUV浸没式光刻在应对7nm以下节点时面临严峻挑战：衍射极限导致的图形模糊、工艺窗口急剧收窄等问题。书中详细解析了EUV光刻这一革命性技术的突破点——其利用13.5nm极短波长光源穿透复杂掩模版，结合精密反射光学系统，终于实现超精细线条的高保真转移。书中不仅探讨了高数值孔径EUV等前沿进展，也坦率指出了其成本高昂、光源功率稳定性等现实挑战。

尤为可贵的是，作者并未局限于EUV，而是放眼未来，系统介绍了纳米压印、自组装、电子束/原子束直写等潜力巨大的“后光刻时代”技术，结合各种技术的应用案例，分析了其各自的适用场景与待攻克的物理难题。

本书逻辑清晰、案例详实，既可作为工程师攻坚工艺难题的案头工具，也为行业规划者提供了前瞻性视野。在摩尔定律持续深化的今天，此书无疑是理解芯片制造核心工艺演进脉络的权威之作，值得每一位从业者研读。