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   Nikkei Asian Review、BusinessKorea报道,在DRAM市场,三星工艺制程领先对手1~2年,2016年下半年首先量产18nm DRAM,计划2017下半年推进至15nm。IHS Markit估计,2017年底为止,三星计划把18nm DRAM的生产比重提高至30%。DRAM第三大厂美光拼命追赶,计划未来两三年砸下20亿美元,研发13nm DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备,并购买了多项高价生产仪器。进入13nm制程之后,生产力将提高20%。美光2017年主要是提高18nm DRAM产量。

  SK海力士4月已向客户提供18nm DRAM工程样品,准备先量产PC用的18nm DRAM,接着再投入移动设备用的18nm DRAM,预计于第3季进入量产阶段。SK海力士会优先提高21nm制程良率,再逐渐转向18nm。SK海力士透露,公司正在研发1ynm DRAM制程,量产时间还不确定。此外,三星将扩充华城厂Fab 17产线的DRAM产能,生产10nm等级的DRAM。三星已告知设备厂扩产计划,估计投资金额约为2.5兆~3兆韩元,完工后每月增产3.5万片晶圆,预定2017年下半进入初期生产阶段。

   美光正式公布了全新服务器内存产品——Crucial 128GB DDR4 LRDIMM,这也是美光迄今为止容量最大的服务器内存。据介绍,美光128GB DDR4 LRDIMM内存支持虚拟化和内存数据库技术,并且针对Intel Xeon系列处理器进行了特别优化,数据传输速度高达2666MT/s。美光表示,128GB DDR4 LRDIMM内存都经过了34个流程的上百次耐用性测试,大部分测试项目都结合了具体的服务器使用场景。因此,官方将为这些内存产品提供有限的终身质保承诺。按照预定计划,美光128GB DDR4 LRDIMM内存将于今年第三季度正式推出。

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